-
1 temps de montée de l'impulsion du détecteur d'ionisation à gaz
время нарастания импульса газового ионизационного детектора
время нарастания импульса
Интервал времени, в течение которого импульс газового ионизационного детектора возрастает от 0,1 до 0,9 амплитудного значения.
[ ГОСТ 19189-73]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de montée de l'impulsion du détecteur d'ionisation à gaz
-
2 temps de montée d'un détecteur semi-conducteur
- время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ ГОСТ 18177-81]Тематики
Обобщающие термины
- основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de montée d'un détecteur semi-conducteur
-
3 durée d'établissement d'impulsion
сущ.Французско-русский универсальный словарь > durée d'établissement d'impulsion
-
4 temps de croissance
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de croissance
-
5 temps de montée
сущ.1) радио. время нарастания, длительность фронта импульса2) выч. длительность фронта (импульса) -
6 temps de croissance
Французско-русский универсальный словарь > temps de croissance
-
7 retard à la croissance
- время задержки тиристора
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la croissance
-
8 temps d’amorçage
время включения тиристора
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tувкл, tвкл
tgt, tt
Примечания
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- temps d’amorçage
110. Время включения тиристора
E. Turn-on time
F. Temps d’amorcage
tувкл, tвкл
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Примечания:
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps d’amorçage
См. также в других словарях:
Время нарастания импульса — 27 Источник: ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время нарастания (импульса) — Интервал времени между моментами, в которых мгновенное значение импульса впервые достигает заданного нижнего значения и затем заданного верхнего значения. Если не задано иного, нижнее и верхнее значения фиксируются на величинах 10 % и 90 % от… … Справочник технического переводчика
время нарастания импульса — — [Л.Г.Суменко. Англо русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.] Тематики информационные технологии в целом EN pulse rise time … Справочник технического переводчика
время нарастания (импульса) — 3.26 время нарастания (импульса) [rise time (of a pulse)]: Интервал времени между моментами, когда мгновенное значение импульса впервые достигает заданных нижнего и верхнего уровней. Примечание Если нет других указаний, нижний и верхний уровни… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время нарастания импульса АЭ — 2.6 время нарастания импульса АЭ (АЕ signal rise time): Временной интервал между началом регистрации импульса АЭ и моментом, при котором импульс достигает его максимальной величины. Источник: ГОСТ Р ИСО 12716 2009: Контроль неразрушающий.… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время нарастания импульса — impulso kilimo trukmė statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. pulse leading edge time; pulse rise time vok. Flankenanstiegszeit, f; Impulsanstiegszeit, f; Impulsvorderflankendauer, f rus. время нарастания импульса, n pranc. durée de flanc… … Fizikos terminų žodynas
время нарастания импульса газового ионизационного детектора — время нарастания импульса Интервал времени, в течение которого импульс газового ионизационного детектора возрастает от 0,1 до 0,9 амплитудного значения. [ГОСТ 19189 73] Тематики детекторы ионизирующих излучений Синонимы время нарастания импульса… … Справочник технического переводчика
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения — время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его… … Справочник технического переводчика
Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя — 27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя Время нарастания импульса Rise time tнр.из Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время нарастания — 3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений. Примечание Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя — 1. Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения Употребляется в документе: ГОСТ 27299 87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и … Телекоммуникационный словарь